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基于多二维沟道的增强型GaN FinFET，本发明属于微电子技术领域，涉及到GaN基电力电子器件的制作。其结构自下而上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、多层GaN/AlGaN层、刻蚀掩膜介质层，绝缘栅介质层和栅金属。在衬底上首先外延GaN或A...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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