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本发明公开了一种窄手性分布单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。在一较佳实施例之中，该制备方法包括：采用含钼的前躯体溶液在高温下分解并被H2还原后呈现固态的高熔点金属钼作为催化剂，在St‑Cut石英基底上利用化学气相沉积法(Chemical V...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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