温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种提高增强型GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，本发明属于微电子技术领域，涉及GaN基电力电子器件制作。所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、InGaN层、GaN层、AlGaN层、掩膜介质层，绝缘栅介质层和栅金属。在衬底上外延...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。