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本发明公开了一种采用原子层沉积制备金属Fe薄膜的方法，目的在于，使制备方法操作简单，原料廉价且安全无毒、无污染、利于量产和与现有IC工艺兼容；方法制备的Fe薄膜具有很好的三维保形性，薄膜厚度在单原子层量级的精确可控，所采用的技术方案为：1)...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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