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一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法，属于LED生产应用技术领域，以厚度为150～200μm的铜基板为永久衬底，在侧制作键合层；在临时衬底的一侧进行外延工艺，形成外延片，通过键合层将两者键合后制成芯片，特点是：以硅进行掺杂制...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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