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本发明提供了一种通讯用雪崩光电二极管及其制备方法，所述雪崩光电二极管的外延结构由底层向上具体包括：半绝缘InP衬底、n型分布反馈反射层、n‑InP电阻接触层、i‑InGaAs吸收层、n‑InGaAsP渐变层、n‑InP控制层、i‑InP倍增...
该专利属于武汉华工正源光子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华工正源光子技术有限公司授权不得商用。

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