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本发明公开了一种单转双窄带无源混频器,包括依次连接的跨导级、本振开关以及跨阻放大器,所述跨导级在NMOS跨导管的上下分别串联PMOS电流源和NMOS电流源,所述跨导级利用无源混频开关的阻抗变化作用,在本振频率处拉低跨导级的输出阻抗并构造近似...该专利属于东南大学—无锡集成电路技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过东南大学—无锡集成电路技术研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种单转双窄带无源混频器,包括依次连接的跨导级、本振开关以及跨阻放大器,所述跨导级在NMOS跨导管的上下分别串联PMOS电流源和NMOS电流源,所述跨导级利用无源混频开关的阻抗变化作用,在本振频率处拉低跨导级的输出阻抗并构造近似...