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本发明涉及一种半导体材料，其包含根据式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1‑C30‑烷基、C3‑C30环烷基、C2‑C30‑杂烷基、C6‑C30‑芳基、C2‑C30‑杂芳基、C1‑C30‑烷氧基、C3‑C30‑环烷氧基、C6‑...
该专利属于诺瓦尔德股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过诺瓦尔德股份有限公司授权不得商用。

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