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本发明公开了一种硅衬底上AlGaN/GaN异质结构及生长方法，首先通入氨气对Si(111)衬底进行表面氮化处理；再在Si衬底上生长AlN成核层；生长Al组分阶梯递减的AlxGa1‑xN缓冲层和AlN/GaN超晶格作为复合应力缓冲层；在缓冲层...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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