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本发明涉及一种LED芯片，在具有较高的深宽比的沟槽内填充具有高绝缘性能、高韧性、与GaN层具有高粘结性的绝缘有机硅胶，通过降低沟槽的深度以降低后续在绝缘层沉积和金属蒸镀时因为高度差太大而引起的绝缘物和金属断裂的风险，增加LED倒装高压芯片在...
该专利属于映瑞光电科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过映瑞光电科技（上海）有限公司授权不得商用。

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