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本申请提供了一种反熔丝结构、反熔丝存储器及其制作方法，采用至少一层高介电常数K介质层作为反熔丝层，仅需薄薄的一层即可起到反熔丝结构中的绝缘作用，当所述反熔丝层被预设电压击穿后，比现有的反熔丝结构的电阻低，从而使本发明的存储器在编程后的整体电...
该专利属于珠海创飞芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海创飞芯科技有限公司授权不得商用。

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