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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种分裂栅积累型DMOS器件。本发明主要在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；同时，本发明具有Split‑gate结构的优点。采用本发明可以具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻以及更...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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