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本发明公开了金纳米片合成方法，属于金纳米片技术领域，包括如下步骤：1)合成单分散的二氧化硅纳米片；2)对单分散的二氧化硅纳米片进行表面修饰；3)二氧化硅纳米片对氯金酸离子的表面吸附；4)金纳米片/二氧化硅片复合材料的合成；5)刻蚀硬模板二氧...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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