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本发明公开了掺杂TiO2的环形压敏电阻的制备方法，所述的压敏电阻的制备步骤如下：1)、按照要求选取配料中的各种掺杂剂成分，采用行星式球磨使其充分混合均匀，2)、将纳米级的TiO2同分散剂混合，搅拌均匀，3)、将上述得到的掺杂剂混合物与TiO...该专利属于西安立伟电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安立伟电子科技有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了掺杂TiO2的环形压敏电阻的制备方法，所述的压敏电阻的制备步骤如下：1)、按照要求选取配料中的各种掺杂剂成分，采用行星式球磨使其充分混合均匀，2)、将纳米级的TiO2同分散剂混合，搅拌均匀，3)、将上述得到的掺杂剂混合物与TiO...