温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了2.7‑3.5GHz 2W GaN单片功率放大器及设计方法，放大器包括输入匹配网络、级间匹配网络、输出匹配网络及pHEMT晶体管，输入匹配网络的通过pHEMT晶体管与级间匹配网络相连，级间匹配网络的通过pHEMT晶体管与输出匹配...
该专利属于成都泰格微电子研究所有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都泰格微电子研究所有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。