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本发明公开了一种腔形柱状织构硅与分子膜改性协同实现超疏水的方法，晶向为（1,0,0）或（1,1,0）的单晶硅片表面氧化后通过干刻法刻蚀制备出方形柱状织构；清洗方形织构硅片，置入配制的KOH水溶液中刻蚀，KOH浓度为30~33wt%，反应温度...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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