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本发明提供一种半导体装置的制造方法。通过向半导体基板的IGBT分区的表层部注入第1导电型的第1掺杂剂来形成第1注入区域。通过向IGBT分区的比第1注入区域更浅处的区域注入第2导电型的第2掺杂剂来形成第2注入区域。通过向二极管分区的表层部以比...
该专利属于住友重机械工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友重机械工业株式会社授权不得商用。

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