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基于相场模型下控制Ag2Ga纳米针长径比的研究方法技术
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下载基于相场模型下控制Ag2Ga纳米针长径比的研究方法的技术资料
文档序号:13941664
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本发明公开了基于相场模型下控制Ag2Ga纳米针长径比的研究方法,按如下步骤进行:一、建立Ag2Ga纳米针的三维计算模型;二、改变实验反应条件以及模拟时间来揭示纳米针长径比变化规律;在室温下,Ag微粒和液态Ga微粒之间会发生扩散形成Ag2Ga...
该专利属于杭州电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过杭州电子科技大学授权不得商用。
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