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本发明涉及碳化硅溶液法领域，尤其涉及一种碳化硅溶液法中实时监测液面接触高度的方法，采用了采用了高精密度电流计，通过指针的偏转来判断SiC籽晶是否与石墨坩埚内的熔融液面接触，根据电流计显示的确切数值推算出SiC籽晶与熔融液接触的具体高度，确保...
该专利属于山东天岳晶体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳晶体材料有限公司授权不得商用。

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