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本发明涉及设置于基材上的金属硫属化合物膜，其包括至少一个(例如，1至10个单层)的金属硫属化合物单层。所述膜可以在80％或更多的被所述膜覆盖的基材上为连续的(例如，结构连续的和/或电子连续的)。所述膜可以通过基于如下的方法制得：相对于硫属化...
该专利属于康奈尔大学所有，仅供学习研究参考，未经过康奈尔大学授权不得商用。

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