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本发明涉及一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法。先对外延炉基座进行腐蚀；向外延炉桶式基座片坑内装入硅单晶衬底片；对硅衬底片的表面进行HCl抛光；在硅片上生长一层本征外延层；利用HCl气体将外延表面受自掺杂严重的部分抛去；进行变温变流量吹...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

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