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半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:13912857
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本发明的半导体装置构成为:具有沿着n型漂移层(1)的一个主面选择性地形成,且电阻比漂移层(1)低的p型区域(4),在从作为p型区域(4)的边界的pn结(6)的面起算厚度为t的漂移层(1)内,将从设有空位‑氧复合缺陷区域(11)的漂移层(1)...
该专利属于富士电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士电机株式会社授权不得商用。
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