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用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理在没...
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