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本申请涉及双宽度鳍式场效应晶体管。公开了一种双宽度的SOI FinFET，其中应变的鳍的不同部分具有不同的宽度。一种制造这种双宽度的FinFET的方法包括利用湿化学蚀刻工艺对在源极区域和漏极区域中的应变的鳍进行横向凹陷化，从而保持鳍中的高度...
该专利属于意法半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司授权不得商用。

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