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在绝缘体上硅SOI集成电路中的互补高电压双极型晶体管(100)的所描述实例中，集电极区域(104)形成在安置于掩埋绝缘体层BOX(103)上方的外延硅层中。基极区域(113)及发射极(108)安置于所述集电极区域(104)上方。通过穿过衬底...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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