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一种高迁移率层状硒氧化铋半导体薄膜及其制备方法技术
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下载一种高迁移率层状硒氧化铋半导体薄膜及其制备方法的技术资料
文档序号:13889355
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本发明公开了一种高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜及其制备方法。该制备层状Bi2O2Se半导体薄膜的方法,包括如下步骤:以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料,在云母基底上进行化学气相沉积,沉积完毕后即得到所述层状Bi2O2Se半导体薄...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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