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本发明公开了一种调控材料载流子浓度的方法、场效应晶体管和制造方法，该制备携带被调材料的场效应晶体管的步骤，其中，衬底、在衬底上生长的被调材料薄膜或者转移到衬底上的被调材料薄层、在衬底的被调材料薄膜或薄层上设置的源电极和漏电极、以及在衬底的另...
该专利属于中国科学技术大学先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学先进技术研究院授权不得商用。

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