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本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶...
该专利属于西北大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北大学授权不得商用。

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