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本发明提供一种高亮倒装LED芯片制备方法，包括以下步骤：步骤一、首先在清洗干净的LED外延片沉积一定厚度的SiO2或SiN薄膜；依据需要进行黄光图形制程，将SiO2或SiN薄膜采用腐蚀方式，制备CB结构；步骤二、进行ITO薄膜沉积；步骤三、...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

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