温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

实施例针对：形成包括至少一个鳍片、栅极以及间隔件的结构，对所述结构应用退火工艺以生成在所述至少一个鳍片与所述间隔件之间的间隙，以及在所述间隔件与所述至少一个鳍片之间的间隙中生长外延半导体层。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。