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本发明提供一种形成金属硅化物的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有金属氧化物半导体(MOS)器件，在金属氧化物半导体(MOS)器件上沉积金属薄膜，在金属薄膜上沉积帽层，进行第一次退火，去除未反应的金属薄膜及帽层，进行第二次退火，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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