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本发明提供了一种双极型晶体管的基区形成方法。该方法包括：将在集电区的设定区域形成离子注入掺杂区的半导体晶圆放入炉管中；对半导体晶圆进行高温处理期间，以半导体晶圆的圆心为中心对半导体晶圆进行旋转处理，以形成双极型晶体管的基区。该方法使双极型晶...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。