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本发明揭露一种硅电极的制作工艺，其步骤包括:提供导电基板；于导电基板上形成硅层；以及对硅层的表面执行等离子体改质步骤，其中等离子体改质步骤是将多个原子掺杂于硅层的表面，且于表面形成原子掺杂层。本发明还揭露一种硅电极，包括导电基板、于导电基板...
该专利属于石东益;杜正恭;陈秉宏所有，仅供学习研究参考，未经过石东益;杜正恭;陈秉宏授权不得商用。

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