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本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构，其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上；在第一半导体层上形成兼作钝化层的掩膜...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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