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本发明提供一种基于CMOS制造工艺的齐纳管的制造方法，依次进行多晶硅淀积工艺、进行齐纳注入工艺、进行侧墙介质层淀积工艺和侧墙介质层刻蚀工艺、进行漏源注入工艺，将传统的齐纳注入工艺提前到侧墙介质层淀积工艺、侧墙介质层刻蚀工艺和源漏注入工艺之前...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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