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本发明属于二维晶体制备领域。一种利用微波等离子体化学气相沉积制备α相碳化钼晶体的方法，其特征在于包括如下步骤：1)将清洗后的硅片置于制备相碳化钼晶体的装置的腔体中，对腔体抽真空；2)向腔体内通入氢气，调节微波功率、氢气流量和气压，腔体内部气...
该专利属于武汉工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉工程大学授权不得商用。

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