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一种集成电路测试结构及其测试方法技术
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文档序号:13831859
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本发明提供了一种集成电路测试结构,包括:第一测试结构,所述第一测试结构包括:单个MOS晶体管,所述单个MOS晶体管包括第一栅极结构以及位于第一栅极结构两侧的第一源/漏极,所述第一源/漏极具有第一通孔,所述第一通孔连接至第一测试端;第二测试结...
该专利属于王汉清所有,仅供学习研究参考,未经过王汉清授权不得商用。
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