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本披露涉及具有倾斜侧壁的半导体器件及相关方法。一种半导体器件可以包括多层互连板，该多层互连板以堆叠关系具有下部导电层、电介质层以及上部导电层。该电介质层可以具有形成的凹陷，该凹陷具有底部以及从该底部向上延伸的倾斜侧壁。该上部导电层可以包括跨...
该专利属于意法半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司授权不得商用。

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