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本发明提供了一种自对准砷化镓PMOS器件的制作方法，该制作方法步骤如下：(1)在砷化镓沟道层上生长SiO2介质300纳米；(2)刻蚀SiO2介质层形成85度台阶；(3)在砷化镓表面生长氧化铝介质；(4)在SiO2侧壁形成钛栅金属；(5)形成...
该专利属于东莞华南设计创新院;广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过东莞华南设计创新院;广东工业大学授权不得商用。

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