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本发明公开了一种硅衬底LED发光芯片的表面处理方法，其能够有效的提高硅衬底的表面积，提高硅衬底LED发光芯片的发光效率。它主要包括步骤：(a)选用合适的硅衬底，根据硅衬底的表面特性以及所需的图形形状设计掩膜图形；(b)在硅衬底表面生成硅氧化...
该专利属于深圳市立洋光电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市立洋光电子有限公司授权不得商用。

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