温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构，从下至上依次包括：衬底、应力控制层、n型GaN层、应力缓冲层、多量子阱有源层、间隔层、电子阻挡层、p型GaN层和欧姆接触层，其特征在于，该发光二极管外延结构还包括在所述多量子阱有源层下方设有禁带宽度...
该专利属于晶能光电（常州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电（常州）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。