温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种制备ESD器件的方法、ESD器件，基于传统制备MOS器件(如PMOS或NMOS器件)的基础上，通过采用ESD离子注入掩膜版，以打开位于源/漏区上方的介质层，并利用湿法刻蚀工艺于硅衬底中形成上宽下窄的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。