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本发明提供一种半导体结构，包括：铝层、由下至上依次形成于所述铝层上表面的第一Ti层、第一TiN层、电介质抗反射层及第一隔离层。在Al制程的半导体结构中的电介质抗反射层上增设一层二氧化硅层作为第一隔离层，由于二氧化硅本身比较致密其粘连性好，不...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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