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本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基板、直通硅穿孔孔洞、层间介电质、衬层及导体。直通硅穿孔孔洞形成于基板中。层间介电质形成于基板上。层间介电质定义出对应直通硅穿孔孔洞的开口。层间介电质包括接近直通硅穿孔孔洞的鸟嘴部分。...
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