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一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二功函数层以及位于第二功函数层表面的牺牲层；采用干法刻蚀工艺刻蚀去除第一伪栅，且牺牲层表面暴露在干法刻蚀环境中；刻蚀去除牺牲层，在第二区域...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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