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本申请涉及一种纳米线场效应晶体管(FET)器件及其制造方法。该纳米线FET器件包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区中的每一个均在块体半导体衬底的上表面上形成。栅极区被插入第一源极/漏极区和第二源极/漏极...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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