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本发明提供一种BiCMOS集成电路的制造方法，包括：在衬底的表面上依次形成第一氧化层和氮化硅层；去除预设的第一区域内的所述氮化硅层，在所述第一区域内形成第二氧化层，所述第二氧化层的边缘呈厚度渐变的鸟嘴，鸟嘴延伸至所述第一区域之外的区域表面；...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。