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在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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