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本发明提供了一种分离栅式闪存器件及制备方法，利用自对准的工艺来制备浮栅和控制栅，相比较传统技术而言工艺更容易控制，进而可进一步缩小器件的关键尺寸；本发明通过将浮栅制备在衬底内，这有利于提高沟道长度，使得衬底中的载流子更容易穿透氧化层进入浮栅...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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