温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种IGBT元胞结构，IGBT元胞结构的多晶硅孔为八边形。本发明IGBT元胞结构及其制造工艺，(1)IGBT有源区元胞也就是多晶硅孔，类似八边形，但较八边形形状平滑。此形状结合整个IGBT元胞结构，较现有的六边形、长条形、方形元胞...
该专利属于张家港意发功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港意发功率半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。